單晶硅壓力變送器采用先進(jìn)的單晶硅壓力傳感器技術(shù)與專業(yè)封裝工藝，精心研制出的一款先進(jìn)技術(shù)的高性能壓力變送器,測量精度高達(dá)0.075級，特有的雙過載保護(hù)膜設(shè)計，單向過壓可達(dá)40MPa。。單晶硅壓力傳感器位于金屬位于頂部，遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面，實(shí)現(xiàn)機(jī)械隔離和熱隔離；玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線實(shí)現(xiàn)了與金屬基體的高強(qiáng)度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護(hù)的能力。這些技術(shù)確保了單晶硅壓力變送器可從容應(yīng)對的化學(xué)場合和機(jī)械負(fù)荷，同時具備極強(qiáng)的抗電磁干擾能力，足以應(yīng)對為復(fù)雜的工業(yè)環(huán)境應(yīng)用，是名副其實(shí)的隱形儀表。

單晶硅壓力變送器和電容式壓力變送器的區(qū)別

工作原理已經(jīng)決定了他們的不一樣

單晶硅變送器采用單晶硅片為彈性元件，在單晶硅膜片上利用集成電路的工藝，在單晶硅的特定方向擴(kuò)散一組等值電阻，并將電阻接成橋路，單晶硅片置于傳感器腔內(nèi)。

電容式變送器被測介質(zhì)的兩種壓力通入高、低兩個壓力室，作用在δ元件(即敏感元件)的兩側(cè)隔離膜片上，通過隔離片和元件內(nèi)的填充液傳送到測量膜片兩側(cè)。電容式壓力變送器是由測量膜片與兩側(cè)絕緣片上的電極各組成一個電容器。 當(dāng)兩側(cè)壓力不一致時，致使測量膜片產(chǎn)生位移，其位移量和壓力差成正比，故兩側(cè)電容量就不等，通過振蕩和解調(diào)環(huán)節(jié)，轉(zhuǎn)換成與壓力成正比的信號。